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1、在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。
(相关资料图)
2、在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴[1]）被视为载流子。
3、金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。
4、 在电场作用下能作定向运动的带电粒子。
5、如半导体中的自由电子与空穴，导体中的自由电子，电解液中的正、负离子，放电气体中的离子等。
6、 "载流子" 在学术文献中的解释： 不论是N型半导体中的自由电子,还是P型半导体中的空穴,它们都参与导电,统称为“载流子”.“载流子”导电是半导体所特有的 2、关于气体导电众所周知,导体之所以容易导电,是因为“导体中存在大量的可以自由移动的带电物质微粒,称为载流子.在外电场的作用下,载流子作定向运动,形成明显的电流” 在半导体中载运电流的带电粒子——电子和空穴,又称自由载流子。
7、在一定温度下,半导体处于热平衡状态,半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度p0都保持一个稳定的数值,这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。
8、 在本征半导体中只发生热激发时,电子数目等于空穴数目,这时热平衡载流子浓度为 式中m0为电子质量,kg;mn*为电子有效质量,kg; mp*为空穴有效质量,kg;k为玻耳兹曼常数,J/K;Eg为禁带宽度,eV;ni为本征载流子浓度,cm-3;T为绝对温度,K。
9、 对于杂质半导体,N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子),而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。
10、在强电离的情况下,N型半导体中多子浓度nn及少子浓度pn分别为 P型半导体中多子浓度pp及少子浓度np分别为 上二式中ND为施主杂质浓度,cm-3;NA为受主杂质浓度,cm-3。
11、 如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法),破坏了热平衡条件,使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态,则称为非平衡状态。
12、处于非平衡状态的半导体,其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。
13、在N型半导体中,把非平衡电子称为非平衡多数载流子,非平衡空穴称为非平衡少数载流子。
14、对P型半导体则相反。
15、在半导体器件中,非平衡少数载流子往往起着重要的作用。
16、 载流子寿命 life time of carriers 非平衡载流子在复合前的平均生存时间,是非平衡载流子寿命的简称。
17、在热平衡情况下,电子和空穴的产生率等于复合率,两者的浓度维持平衡。
18、在外界条件作用下(例如光照),将产生附加的非平衡载流子,即电子—空穴对;外界条件撤消后,由于复合率大于产生率,非平衡载流子将逐渐复合消失掉,最后回复到热平衡态。
19、非平衡载流子浓度随时间的衰减规律一般服从exp(-t/τ)的关系,常数τ表示非平衡载流子在复合前的平均生存时间,称为非平衡载流子寿命。
20、在半导体器件中,由于非平衡少数载流子起主导作用,因此τ常称为非平衡少数载流子寿命,简称少子寿命。
21、τ值范围一般是10-1～103μs。
22、复合过程大致可分为两种:电子在导带和价带之间直接跃迁,引起一对电子—空穴的消失,称为直接复合;电子—空穴对也可能通过禁带中的能级(复合中心)进行复合,称为间接复合。
23、每种半导体的r并不是取固定值,将随化学成分和晶体结构的不同而大幅度变化,因此,寿命是一种结构灵敏参数。
24、τ值并不总是越大越好。
25、对于Si单晶棒和晶体管的静态特性来说,希望τ值大些。
26、但是,对于在高频下使用的开关管,却往往需要掺杂(扩散金),以增加金杂质复合中心,降低τ值,提高开关速度。
27、近年来,在电力电子器件生产中,常用电子束辐照代替掺金,降低τ值。
28、在Si和GaAs材料、器件和集成电路生产过程中,τ值是必须经常检测的重要参数。
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